Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB

Este documento describe el KVR32S22S6/4 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchronous DRAM) de 512M x 64-bit (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16-bit. El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1.2V. Este SODIMM de 260 pines utiliza contactos de oro.

Características:

• Fuente de alimentación: VDD = 1.2V Típico
• VDDQ = 1.2V Típico
• VPP = 2.5V Típico
• VDDSPD = 2.2V a 3.6V
• Terminación en chip dinámica y nominal (ODT) para datos, señales de estrobo y máscara
• Autorefresco de baja potencia (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en chip
• Single-rank
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) a bordo
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Opción de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• Selección de BC4 o BL8 sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Comando de control y bus de dirección terminados
• PCB: Altura 1.18” (30.00mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos

Especificaciones

• Ciclos de Latencia (CL): 22 ciclos
• Tiempo de Ciclo de Fila (tRCmin): 45.7ns (mínimo)
• Tiempo de Comando Activo/Refresco (tRFCmin): 350ns (mínimo)
• Tiempo Activo de Fila (tRASmin): 32ns (mínimo)
• Clasificación UL: 94 V - 0
• Temperatura de Funcionamiento: 0°C a +85°C
• Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +100°C

KVR32N22S6/4 de ValueRAM

Un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM síncrona) de 512M x 64 bits (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16 bits. El SPD está programado con el estándar JEDEC de latencia DDR4-3200 con tiempos de 22-22-22 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pines utiliza contactos de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

• VDD = 1.2V Típico
• VDDQ = 1.2V Típico
• VPP = 2.5V Típico
• VDDSPD = 2.2V a 3.6V
• Terminación en el chip nominal y dinámica (ODT) para datos, estrobos y señales de máscara
• Auto-refresco automático de bajo consumo (LPASR)
• Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en el chip
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia serie I² a bordo (SPD)
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Bus de comando y dirección terminado
• PCB: Altura 1.23” (31.25mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos

Especificaciones

• Capacidad: 4GB
• Disposición: 1Rx16 512M x 64-Bit
• Velocidad: PC4-2666
• Latencia: CL19
• Pines: 288-Pin
• Tipo: DIMM
• Voltaje: 1.2V

Información Técnica:

• Tamaño de Memoria: 4 GB
• Tecnología de la Memoria: DDR3L SDRAM
• Memoria de Voltaje: 1,35 V
• Número de Módulos: 1 x 4 GB
• Velocidad de Memoria: 1600 MHz
• Estándar de Memoria: DDR3-1600
• Control de Errores: No-ECC
• Signal Processing: Sin búfer
• Enchapado: Chapado en Oro
• CAS Latency: CL11

Varios:

• Respetuoso del medio ambiente: Sí
• Certificación medioambiental:
• RoHS
• REACH

Especificaciones técnicas

• Capacidad total: 4 GB
• Formato: SO-DIMM
• Tipo: SDRAM-DDR3
• Estándar: DDR3L-1600 (PC3L-12800)
• 204 pin
  
• CAS Latencia : 11
• Double Sided
  
• Tensión: 1.35V

Memoria RAM Kingston ValueRAM 32GBEste documento describe el KVR32S22D8/32 de ValueRAM, que es un módulo de memoria SDRAM DDR4-3200 CL22 (DRAM sincrónica) de 4G x 64 bits (32GB), 2Rx8, sin ECC, basado en dieciséis componentes FBGA de 2G x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC DDR4-3200 con tiempos de 22-22-22 a 1,2V. Este DIMM de 260 pines utiliza contactos dorados.

Especificaciones

• VDD = 1,2V Típico
• VDDQ = 1,2V Típico
• VPP = 2,5V Típico
• VDDSPD = 2,2V a 3,6V
• Terminación en chip (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, strobe y máscara
• Auto-refrigeración de bajo consumo (LPASR)
• Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en chip
• Doble rango
• EEPROM de presencia detectada en serie I2 a bordo
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga (BC) fijo de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionables en vuelo (OTF)
• Topología de sobrevuelo
• Bus de control y dirección con terminación
• PCB: Altura 1,18” (30,00mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
• CL(IDD): 22 ciclos Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45,75ns (mín.) 
• Tiempo de comando de refresco a activo/refresco (tRFCmin): 350ns (mín.) 
• Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns (mín.) 
• Calificación UL: 94 V - 0 
• Temperatura de operación: 0°C a +85°C 
• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +100°C

KVR32N22D8/32 

32GB 2Rx8 4G x 64-Bit PC4-3200 CL22 288-Pin DIMM

Especificaciones

• Especificaciones
• Latencia CAS: 22
• Memoria interna: 16 GB
• Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
• Tipo de memoria interna: DDR4
• Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
• Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
• ECC: No

KVR32N22D8/16

• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V (típico)
• VDDQ = 1,2 V (típico)
• VPP = 2,5 V (típico)
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación en chip (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscopio y máscara
• Autorrefresco de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en chip
• Doble rango
• EEPROM de detección de presencia (SPD) serie I2 integrada
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología de paso (fly-by)
• Bus de comandos de control y direcciones terminado
• PCB: Altura 1,23” (31,25 mm)
• Cumple con RoHS y está libre de halógenos

Especificaciones

• Marca Kingston
• Tamaño de la memoria del ordenador 16 GB
• Tecnología de memoria RAM DDR4
• Velocidad de memoria 3200 MHz
• Dispositivos compatibles Ordenador de escritorio
• Función especial Sin ECC, DDR4
• Tensión 1,2 Voltios
• Latencia del estroboscopio de dirección de columna 22
• Factor de forma DIMM

• Especificaciones
• Capacidad: 16GB
• Tipo: DDR4 3200MHz
• Diseño: SODIMM
• Latencia: CL22
• Contacto: 260 pines
• Voltaje: 1.2V

KF432S20IB/16

16GB 2G x 64-Bit DDR4-3200 CL20 260-Pin SODIMM

Kingston FURY KF432S20IB/16 es un módulo de memoria DDR4-3200 CL20 SDRAM (DRAM síncrona) 1Rx8 de 2 GB de 64 bits (16 GB), basado en ocho componentes FBGA de 2 GB de 8 bits por módulo. Cada kit de módulos es compatible con Intel® Extreme Memory Profiles (Intel® XMP) 2.0. Cada módulo ha sido probado para funcionar con DDR4-3200 a una baja latencia de 20-22-22 a 1,2 V. Los parámetros de sincronización adicionales se muestran en la sección 'Parámetros de sincronización Plug-N-Play (PnP)' a continuación.

Especificaciones

• Marca Kingston
• Tamaño de la memoria del ordenador 16 GB
• Tecnología de memoria RAM DDR4
• Velocidad de memoria 3200 MHz
• Dispositivos compatibles Ordenador portátil
• Tensión 1,2 Voltios
• Latencia CL20